《表3 中美主要投稿期刊对比》

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《基于多角度文献计量的中美碳化硅MOS器件研究现状比较》

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对科研论文的主要投稿期刊进行统计分析如表3所示，可以看出，中国发文期刊前5位分别为IEEE Transactions on Power Electronics（涉及电力电子电路及系统）、2018 1stWorkshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications In Asia(Wipda Asia）（涉及宽禁带半导体器件及应用）、IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics（涉及电力电子电路及系统的新兴主题）、IEEE Transactions on Electron Devices（涉及半导体器件物理）和Energies（涉及能源与节能）。美国发文期刊前5为分别为IEEE Transactions on Electron Devices（涉及半导体器件物理）、IEEE Transactions on Power Electronics（涉及电力电子电路及系统）、IEEE Electron Device Letters（涉及半导体器件物理）、Journal of Applied Phy Si Cs（涉及半导体器件材料物理）和Applied Phy Si Cs Letters（涉及应用物理）。可以看出，中国发文更关注SiC功率MOS器件相关电路系统及其应用，而美国发文更关注器件物理及底层器件材料工艺创新，这也与前面的专利分析结论一致。