《表2 不同基体介质的符合计数率测量结果》
注:为简化表格,表2中不包含探测系统对腔室底部外加中子源和废物桶中不同位置样品的共同响应符合计数率Di,Cf
实验首先测量样品腔室底部外加252Cf中子源的符合计数率D0;然后将装有介质材料和模拟样品的废物桶移入样品腔室。使用252Cf中子源作为废物桶中的模拟样品,由于WDAS装置的探测系统呈圆柱形,对废物桶内不同位置发射的中子具有不同的响应,导致中子探测效率不同。因此实验过程中将252Cf中子源依次放入如图2所示的9个不同位置。实验时先测量探测系统对腔室底部外加中子源和废物桶的共同响应符合计数率Di,Cf;然后移出腔室底部中子源,测量探测系统对废物桶单独响应的符合计数率Di。最后测量完所有位置的符合计数率后,计算探测系统对废物桶整体响应的平均符合计数率Dav,实验测量结果如表2所示。
图表编号 | XD00198310200 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2021.03.15 |
作者 | 周志波、孙诗奇、刘立坤、张海青、初泉丽、李多宏、杨丽芳、谭西早、林俊、武朝辉 |
绘制单位 | 国家核安保技术中心、中国科学院微观界面物理与探测重点实验室中国科学院上海应用物理研究所、国家核安保技术中心、中国科学院微观界面物理与探测重点实验室中国科学院上海应用物理研究所、国家核安保技术中心、国家核安保技术中心、国家核安保技术中心、国家核安保技术中心、中国科学院微观界面物理与探测重点实验室中国科学院上海应用物理研究所、国家核安保技术中心 |
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