《表1 实验所用的5种磁芯方案的特性参数》
基于下文2.2节的有限元仿真分析结果,选定纳米晶工艺优化的磁导率下限为400。选取初始电阻率为1.14×10-4Ω?m的纳米晶带材进行晶粒细化工艺,按照热处理与涡流阻隔的程度不同,制得4种不同磁导率的纳米晶磁芯,见表1,将它们命名为DOE1(μi=3 000,700 kW·m-3)、DOE2(μi=1 500,450 k W·m-3)、DOE3(μi=700,400 k W·m-3)、DOE4(μi=400,375 k W·m-3),其最大磁饱和限值Bs=1.10 T,是铁氧体的2.4倍。纳米晶磁芯损耗的有效改善验证了工艺优化的可行性,但还需进一步的无线电能传输实验分析。
图表编号 | XD00196431500 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2020.11.01 |
作者 | 熊萌、戴海峰、魏学哲 |
绘制单位 | 同济大学汽车学院、同济大学汽车学院、智能型新能源汽车协同创新中心、同济大学汽车学院 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |