《表1 银浆B的53实验设计》

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《高芯片键合质量与高生产率的新型银浆体系的研究》

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二是，针对这5个因子，按照53进行实验设计，共计26组实验（见表1）。样品的银浆键合强度结果表明，获得了最优化的参数范围，分别是银浆量大于四边可见，固化时间为85S～95S，固化温度为165℃～180℃。采取此最优参数组合，银浆键合强度Cpk提高到了2以上（见图12）。