《表1 实验用刮板、银浆参数Tab.1 Parameters of squeegee and silver paste in the ex-periment》

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《丝印电极的刮印角度和银浆特性对多晶硅太阳电池性能的影响》

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本实验选用156mm×156mm×180μm的P型多晶硅片，电阻率为0.7～2Ω·cm，厚度约为180μm。实验过程如下:选用同一硅锭生长的硅片，首先采用HF/HNO3混合酸腐蚀液（VHF∶VHNO3∶VH2 O=1∶3∶2）对硅片进行各向同性腐蚀形成织构化的绒面，然后以液态POCl3作为扩散源对硅片进行扩散形成发射区，扩散后选取方块电阻合格（80±3Ω/□）的硅片，根据硅片晶向严格均分为5组各200片，再经过湿法刻蚀设备进行刻蚀，链式PECVD镀SiNx:H减反射膜及印刷背电极、铝背场，以上所有工序均使用相同的生产工艺。正电极印刷时刮板采用三种不同刮印角度斜角刮板、银浆选用杜邦PV18系列两种不同特性的银浆（银浆价格相同）进行实验，具体如表1所示。正电极印刷后经过Despatch烧结炉进行烧结制作成太阳电池，最后用Berger分选测试仪在25℃、AM1.5标准光谱条件下测量太阳电池的I-V性能。