《表5 失效位置的上下推力验证值》

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《芯片推力方法与MEMS芯片固化工艺的研究》

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改进方法的初步验证数据表见表5，寻找没改进前的方法推出的失效数据，再寻找该失效位置上下连续装片的位置进行对比。抽出2个班次百条推力500个数据中不合格推力15个位置，对上下位置做推力对比，可以发现，该方法实施后，原有失效位置对应上下位置的推力满足下限F0克的要求。但是也出现其中1个数据不能满足下限要求情况，实际与上面所述推刀落准问题相吻合，见表5。