《表2 Agilent B1505A测量单元参数》

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《Si C MOSFET功率器件特性参数的提取与拟合》

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测量静态特性参数时，漏级和源极间接大电流源监视单元（HCSMU），栅极接高功率源监视单元（HPSMU），根据需要在漏源极接20 A的脉冲单元（WGFMU），如图5所示；测量寄生电容时，在各极间接高功率源监视单元（HPSMU），并在直流偏置电压上添加小正弦信号进行扫频测试，各测量单元参数设置如表2所示。