《表1 Agilent B1 505 A电流及功率模块参数Tab.1 Agilent B1 505 A current and power module parameters》

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《碳化硅MOSFET静态特征参数及寄生电容的高温特性研究》

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图2为Agilent B1 505 A功率器件分析仪/曲线追踪仪测量器件静态特性时的原理图，B1 505A分别拥有独立支持高电压（HVSMU）和大电流（HCSMU）的模块，以及大功率SMU（高达1 A/200V）多频率电容测量模块（高达5 MHz）。按照IEC60747相关测试标准[10]，利用Agilent B1 505 A对碳化硅MOSFET静态参数进行测量。其中图（a）为静态特性测量原理图，在漏源极连接大电流模块（HCSMU），栅极连接功率模块（HPSMU），根据需要在漏源极之间施加20 A的电流脉冲；图（b）为漏源极电容CDS测量原理图，而CGS、CGD测量类似，只需在待测电容极连接大功率SMU模块，另外一极接地。静态特性测量时电流及功率模块参数设置见表1。