《表1 因子水平对照：MJTR低浓堆芯辐照大尺寸单晶硅安全分析》

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《MJTR低浓堆芯辐照大尺寸单晶硅安全分析》

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注：1#GB、2#GB—1#功率保护仪、2#功率保护仪；功率保护仪变化率—功率保护仪探测器位置处的中子注量率变化；自动棒变化率—棒位变化

实际辐照过程中，4#孔道辐照单晶硅时出现了3#功率保护仪（简称3#GB）数值异常波动的情况，其余孔道均能正常辐照。4#孔道单晶硅出入堆芯的异常情况见表1。