《表1 IGBT结温Tj和饱和压降VCEsat实验数据》

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《一种改进的IGBT模块结温提取算法及实验研究》

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为了用小电流饱和压降法获取结温，需要对其结温曲线进行校准。方法如下：将待测IGBT模块底部均匀涂上导热硅脂，安装在高精度恒温加热台上（控温精度：±（1～2）%℃），设定加热台初始温度并对待测元件加热足够长时间，待温度稳定20 min后进行实验，此时可认为结温等于壳温，即设定的初始温度。V1管保持关断，测量100 m A时的IGBT饱和压降VCEsat，实验数据见表1。根据实验数据绘制曲线如图9所示。