《表1 不同技术路线栅驱动IC产品特性对比》

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《GaN HEMT栅驱动技术研究进展》

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由于功率器件的应用场景存在很大差异，例如VH可以从40 V跨度到6500 V，电流从几安培跨度到上百安培，开关频率从几千赫兹跨度到几十兆赫兹，因此不同的应用场景对于栅驱动IC的性能和成本要求完全不同，其内部电路功能模块所采用的电路结构和性能完全不同，导致栅驱动IC产品类别繁多，多达数百种。总的来说，对于栅驱动IC产品性能，其主要决定因素的参数为应用场景的高压VH大小，VH大小直接决定了芯片内部高/低侧信号电路之间的电气隔离等级。而在芯片内部实现不同等级的电气隔离功能模块，所需要采用的电路器件技术和成本质量等级存在较大差异。因此，对于栅驱动IC产品技术路线的划分，通常根据其采用的高压电气隔离技术进行归类。目前常用的几种隔离技术所实现的栅驱动IC产品的特性对比如表1所示。