《表1 不同B掺杂量样品的电性能和微观结构参数》

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《B_2O_3和Al_2O_3共同掺杂ZnO压敏陶瓷的性能》

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样品的电性能参数列于表1。从表1可以看出，当掺杂量为从0.0%增加到3.0%（摩尔百分数，下同）样品的泄漏电流从4.06μA/cm2抑制到0.16μA/cm2，非线性系数值从51增加至106。B掺杂对样品的击穿电压E1 m A和残余电压比K几乎没有影响。图1给出了不同B掺杂量样品的E-J图，可见E-J曲线的变化趋势与表1中的数据一致：从图1a可以看出，随着B掺杂量的增加样品的电压梯度E1 m A（0.1μA/cm2处的电场强度）没有明显的变化；在图1b的预击穿区中，随着B含量的增加拐点前的曲线越来越陡峭，拐点后的曲线越来越平坦，意味着样品非线性的改善[16]。压敏陶瓷的非线性系数α，主要由晶界处的势垒高度Φb决定[17]。B的较低熔点（450℃）使B3+在烧结初期参与液相的形成[9]，使掺杂剂更均匀地分散，在烧结过程中产生的气孔被填充，使晶粒的均匀性提高，增大了晶界的总面积。在烧结过程中晶界吸收更多的氧气，从而形成了更宽且更均匀的表面势垒[18]。较高的势垒，抑制了泄露电流的增大[19]。