《表1 各试样碳化硼薄膜的成分(摩尔分数/%)》
图2是以单晶硅为基底的薄膜试样的GIXRD图谱,各试样均未出现明显的衍射峰,表明碳化硼薄膜均为非晶相。表1为碳化硼薄膜的化学成分,各薄膜的B/C摩尔比分别为3.68、3.88、4.01、4.23和4.40。碳化硼晶体的C含量范围为8.8%~20%(摩尔分数),其晶体结构为菱面体,单位晶胞由一个二十面体和一个三原子链组成,其中B4C碳化硼由B11C二十面体和C-B-C三原子链组成[19-20]。有研究认为C含量大于20%(摩尔分数)时,非晶碳化硼的结构仍与晶体碳化硼相似[19-21]。薄膜元素的XPS图谱及分峰结果如图3所示。所有试样的B元素均包含两种化学状态,峰位分别为~188.3 e V和~189.9 e V。在B 1s图谱中峰位大于190 e V的特征峰与氧化物有关,其中BC2O的峰位为190 e V,而碳化硼中B-B键和B-C键的结合能范围为186~190 e V且通常处于一个特征峰中[19,22]。所有试样的C元素均包含四种化学状态,峰位分别为~282.4 e V、~283.4 e V、~284.6 e V和~286 e V。在C 1s图谱中峰位大于286 e V的特征峰与氧化物有关,且286 e V对应于C-O键的结合能,C-C键的结合能范围是284.5~285 e V,~282 e V和~283 e V分别对应于三原子链结构和二十面体结构中B-C键的结合能[19,22]。C-C键可能源自非晶结构中C原子与B原子间的相互取代,如C-C-C三原子链和B10C2二十面体等结构,也可能源自含氧碳化硼。各试样中B元素与C元素的化学状态分别一致,表明本研究制备的碳化硼薄膜具有相似的基本成分,即薄膜由碳化硼和少量含氧碳化硼组成。
图表编号 | XD00190637500 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2021.01.25 |
作者 | 郦其乐、杨勇、魏玉全、刘盟、周洪军、霍同林、黄政仁 |
绘制单位 | 中国科学院上海硅酸盐研究所、中国科学院大学、中国科学院上海硅酸盐研究所、中国科学院上海硅酸盐研究所、中国科学院大学、中国科学院上海硅酸盐研究所、中国科学技术大学国家同步辐射实验室、中国科学技术大学国家同步辐射实验室、中国科学院上海硅酸盐研究所 |
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