《表5 不同MAO电压下试样的流变应力差》

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《电压对微弧氧化膜抑制7050铝合金氢脆敏感性的影响》

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图5显示了流变应力差试验的拉伸曲线，下部曲线为基线，上部曲线为记录基线后卸载的同一试样在MAO处理后的拉伸曲线。MAO处理后的屈服点与基体卸载时的流变点之间的垂直差就是流变应力差。表5为流变应力拉伸数据，数据分析表明，随着MAO电压的升高，膜层引起的流变应力差先增大后减小，在550 V时达到最大值19.56 MPa，所有对照组的流变应力差均为σc>0，因此MAO膜层产生的附加应力为压应力。膜层压应力越大，试样对应的氢脆敏感性越低，说明膜致压应力也抑制了试样的氢脆。