《表1 非凹槽和凹槽型SBD测试结果对比Tab.1 Test results comparison of non-recessed and recessed SBDs》

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《AlGaN/GaN横向肖特基势垒二极管的仿真与制作》

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完成流片后，对制作好的两种SBD进行了直流I-V测试和射频S参数测试。根据直流I-V非线性区拟合曲线可得理想因子n、反向饱和电流Is及击穿电压VBV。通过射频S参数测试及等效电路和去嵌网络提取器件的串联电阻和结电容。图8为非凹槽和全凹槽Al Ga N/Ga N SBD的I-V对比曲线。图9（a）为射频测试S参数和等效电路图，图9（b）为C-V对比曲线图，图中:Cp为寄生电容；Cj为结电容；Rs为串联电阻；Rj为结电阻。表1为根据I-V和C-V曲线提取的参数对比，表中:Von为开启电压；FOM为品质因子；Cratio为器件电容非线性特征参数，Cratio=Cmax/Cmin，其中Cmax和Cmin分别为电容的最大值和最小值。