《表1 交直流混合激励下硅钢片的杂散损耗（Iac=10A)》

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《交直流混合激励下变压器用叠片式磁构件杂散损耗问题的数值模拟及实验验证》

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从表1和表2的结果可以看出，杂散损耗实验值与仿真值较为吻合，验证了基于精细化建模计算激励线圈损耗方法的准确性和有效性。随着交流激励的增加，磁构件的杂散损耗显著增加。此外，当交流激励保持不变时，施加的直流激励的增加会导致磁构件内部杂散损耗的增加。