《表1 非晶正弦激励下损耗数据》

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《正弦与非正弦激励下高频变压器磁心损耗计算与验证》

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为了得到正弦电压激励下Bertotti损耗分离模型损耗系数，本文首先采用环形测量法测量非晶与纳米晶磁心损耗数据。在正弦激励下，测量频率范围为1～10 k Hz（每1 k Hz递增），测量非晶磁环磁通密度范围为0.1～1.3 T（每0.1 T递增），测量纳米晶材料磁通密度范围为0.1～1.2 T（每0.1 T递增），得到正弦激励下非晶和纳米晶材料不同工况下损耗数据如表1和表2所示。