《表2 不同SiCl4/O2流量比制备的光纤的抗辐射性能对比》

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《石英光纤空间辐射损伤机理及性能改善研究》

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为了验证过氧掺杂光纤芯棒的抗辐射性能，分别选取了SiCl4/O2流量比为1∶1和1∶2时制备出的两组光纤预制棒样品拉制单模光纤，对其进行辐照试验并对比了辐照前后光纤损耗。辐照试验时，电离辐照总剂量为3×103 Gy(Si）、电离辐照剂量率为0.005Gy/s(Si）。试验结果如表2所示，可见过氧掺杂制备的光纤有效降低了辐照后的损耗。