《表3 温度对龙葵幼苗q P和q N的影响》

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《温度对龙葵幼苗叶绿素含量和荧光参数的影响》

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注:同列不同小写字母表示差异显著（P<0.05）Note:Different lowercases in the same column stand for significant differences （P<0.05）

光化学淬灭和非光化学淬灭组成荧光淬灭。光化学淬灭系数q P反映PSⅡ天线色素吸收的光能用于光化学电子传递。要使q P值高，须使PSⅡ反应中心处于开放状态，说明q P值在一定程度上反映了PSⅡ反应中心的开放程度；非光化学淬灭以系数q N反映PSⅡ天线色素吸收的光能没有用于光合电子传递而以热的形式消耗的光能部分，是由光合膜两侧建立起的质子梯度及形成膜的高能态造成的荧光猝灭，q N值与三磷酸腺苷（ATP）的形成、积累以及光合膜的状态有关。试验结果表明（表3），随温度降低和时间延长，q P逐渐降低，q N逐渐增大。处理10 d，T1、T2间q P没有显著差异，但显著高于T3、T4、T5处理。说明低温导致原初电子受体（QA）的重新氧化能力降低，形成QA的量减小，导致PSⅡ的非辐射能量消耗增加，即PSⅡ的电子传递活性下降，使得植株光合碳同化能力受到影响，且随温度的降低而影响加剧。