《Tab.2 Beam parameters of single emitter semiconductor LD after reshaping》

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《915 nm/974 nm单发射区半导体激光器光纤耦合模块设计（英文）》


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the result according to Eq.（1）and（2）is that R1fast=0.093，θ1fast=1.340.21°/3.665 mrad，R1slow=1.34mm，θ1slow=0.23°/4.014 mrad.Tab.2 shows the main properties of LDs after reshaping calculating by Eq.（1）-（3）.

图表编号XD0017636900    严禁用于非法目的
绘制时间2018.11.01
作者刘翠翠、井红旗、倪羽茜、王鑫、吴霞、马骁宇
绘制单位中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心、中国科学院大学、中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心、中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心、中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心、中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心、中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心
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