《表6 当前线卡存储器技术指标》

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《基于神经网络的命名数据网学习型FIB研究》

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图6显示了L-FIB和其他方案中的索引结构存储消耗性能对比．相比之下，L-FIB和Binary Patricia Trie-FIB的索引结构存储消耗更低，因为L-FIB通过相对均匀的映射提高了存储效率，Binary Patricia Trie-FIB通过相同前缀的比特级集成降低了存储消耗．表5给出了更详细的结果．一个4 SRAM线卡的最大存储空间可达128.746 MB[11]，如表6所示，因此L-FIB的片内存储单元能够使用高速存储器SRAM，部署其索引结构．而HT-FIB和B-Ma FIB的索引结构都需要较大的存储空间，难以完全部署在SRAM上．