《表1 不同的偏置退耦形式试验结果》
通过上述试验,可以说明HMC516芯片自激受偏置退耦电路影响,与退耦电容无关,与退耦的金丝(或金带)电感量有关。通过减小金丝(或金带)长度,降低其电感量,可以有效消除HMC516自激。
图表编号 | XD0017212400 严禁用于非法目的 |
---|---|
绘制时间 | 2018.05.20 |
作者 | 卢炳 |
绘制单位 | 中国空空导弹研究院 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |
通过上述试验,可以说明HMC516芯片自激受偏置退耦电路影响,与退耦电容无关,与退耦的金丝(或金带)电感量有关。通过减小金丝(或金带)长度,降低其电感量,可以有效消除HMC516自激。
图表编号 | XD0017212400 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2018.05.20 |
作者 | 卢炳 |
绘制单位 | 中国空空导弹研究院 |
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