《表1 SC-Si中的杂质元素含量Tab.1 The content of impurity in SC-Si》

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《氯化钠吸热条件下的纳米硅制备及其电化学性能》

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由于氯离子对电池正、负极材料具有腐蚀作用，造成电池比容量下降，严重的情况会造成极片穿孔，破坏整个电池。因此采用原子吸收光谱（AAS）对氯化钠吸热条件下制备的纳米硅进行测试，检测结果如表1，最终获得的纳米硅材料中残留钠离子质量分数0.024%，氯离子质量分数0.026%。参照锂离子电极材料有关标准[20-21]，本文所制纳米硅中钠离子和氯离子的含量在锂离子电极材料杂质含量允许范围之内。