《表2 粉碎暴露晶面的概率(占颗粒外表面积百分数)》

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《硅活性构型的研究》

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注:表2制作的设定条件:（1）颗粒同样粗细，粒径相同，外表面积相等；（2）硅成分、晶体结构、性能相同；（3）属有机硅和多晶硅用粉；（4）按晶面解理性（与键密度呈反比）和力能方式研究暴露的概率（总表面积中占有的百分数）不过，须知表2带有设定条款，应用时需考虑相应界限，其中包括:（1）

当前，硅制粉技术主要有3种:研磨、冲旋和对撞。研磨是采用辊轮辗压硅料方式制取粉料，立磨机正是经典的这种制粉机。冲旋是利用带刀具的转子轮，冲击硅料生产硅粉，冲旋粉碎机可作代表。对撞则是双转子冲旋、继而物料对撞粉碎，新型的有对撞粉碎机。三者的产品粉各有特性，其中主要原因是施加力能方式不同，引发不同的硅晶体应力、应变状态，诱发裂缝扩展路径各异。研磨以挤压为主，带有相当大的强迫趋势，应变速率高，硅料强化程度大，迫使裂缝沿着硅晶体晶界发展，深入各种晶面解理的较弱，使3个晶面获得同等开裂概率，见表2。而冲旋以压和劈同等施加力能，具有强制和选择粉碎功能，裂缝发展有较大可变性。它会选择硅料中薄弱处发展延伸。这是自然界最小能量法则指定的。于是硅晶体开裂就得按晶面解理性发展，如表2概率不同，晶面（100）减少。至于对撞，则以劈击为主，辅以压击，解理性开裂的选择性更强，晶面（111）会更多，列于表2，作对照比较。而实际应用中，尚须考虑晶面解理条件以外的影响因素，如粉体粒度组成，比表面积和晶粒粗细，以及颗粒粗、晶粒细等。