《表1 YVO4:Eu0.05纳米晶的晶粒度随焙烧温度的变化 (pH=6.0)》

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《YVO_4:Eu发光材料的合成、结构与荧光性——推荐一个大学综合实验》

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图2是前驱体在不同温度下焙烧的样品的XRD图（pH=6.0），激活剂x Eu含量为5%。从图上可以看出，对于500 oC下焙烧的样品，在2θ=25.00o，33.00o，49.00o处出现宽而弱的衍射峰，表明晶粒细小，晶体结晶不完全，并含有一定的非晶成分，这是纳米粒子的普遍特征。当焙烧温度升高到700 oC时，出现了样品的所有衍射峰，并且很好地符合YVO4的标准卡片JCPDS（No.17-260）。所以，可以确定合成的样品为单相结构YVO4。另外，从图中还可以看出，随着焙烧温度的升高，衍射峰的强度增强和每个衍射峰的半峰宽变窄，说明纳米粒径的尺寸逐渐长大，YVO4相的结晶程度不断提高。利用谢勒（Scherrer）公式计算纳米颗粒的平均晶粒度。选择最强衍射峰（2 0 0），即2θ=25.10o处，计算不同煅烧温度下得到的YVO4:Eu3+纳米晶的平均晶粒度（表1）。由表1可见，随着煅烧温度的升高，样品的平均粒径增大。