《表1模块设计对比:全SiC/半SiC智能功率模块功耗研究》
实验在室温条件下20 Hz~90 Hz进行功耗对比测试如图6所示。实验结果显示在20 Hz~90 Hz电压频率条件下,全Si C模块IPM-5(栅极电阻为30Ω)功耗低于IPM-1(栅极电阻为100Ω)。
图表编号 | XD00164023200 严禁用于非法目的 |
---|---|
绘制时间 | 2020.08.01 |
作者 | 冯宇翔 |
绘制单位 | 广东美的制冷设备有限公司 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |
实验在室温条件下20 Hz~90 Hz进行功耗对比测试如图6所示。实验结果显示在20 Hz~90 Hz电压频率条件下,全Si C模块IPM-5(栅极电阻为30Ω)功耗低于IPM-1(栅极电阻为100Ω)。
图表编号 | XD00164023200 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2020.08.01 |
作者 | 冯宇翔 |
绘制单位 | 广东美的制冷设备有限公司 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |