《表1 不同晶须质量分数下复合材料的表面电阻率》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《晶须掺杂交联聚苯乙烯复合材料的制备及沿面闪络性能研究》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

材料的表面电阻率是影响绝缘子真空沿面闪络电压的重要因素之一，其大小决定了材料表面电荷能否快速释放。本研究测试了添加不同质量分数T-ZnO和MOS晶须时复合材料样品的表面电阻率，结果如表1所示。从表1可以看出，随着T-ZnO晶须含量的增加，T-ZnO/CLPS复合材料的表面电阻率总体呈下降的趋势，这一结果与文献[15]报道的T-ZnO晶须增强环氧树脂复合材料的研究结果相当。这可能是因为在一定浓度下，T-ZnO晶须的四个脚呈三维伸展，相邻各针部相互搭接，电荷得以传导，提高了高分子材料的表面导电能力。通过表1还可以看出，质量分数不超过4%时，MOS晶须的加入对复合材料的表面电阻率几乎没有影响，表面电阻率基本保持在1016Ω量级。