《表4 在TD-B3LYP(TD-PBE0）理论水平上化合物M0～M3最主要的发射光谱数据》

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《四氮杂环庚烯吡咯衍生物光电性质的理论预测》

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M0～M3化合物的荧光发射光谱主要数据列于表4．在TD-B3LYP（TD-PBE0）水平下，S1→S0跃迁振子强度f≥0.680(0.713），即LUMO→HOMO均为强跃迁．M0～M3荧光（S1→S0跃迁）波长分别以465(455）、555(545）、621(610）与681(675）nm，依次红移．荧光寿命分别为4.85（4.43）、8.54(8.56）、2.64(2.47）和5.07(5.22）*10-9s．值得指出，M0～M2的S1→S0跃迁均为LUMO→HOMO之间π*→π辐射跃迁；M3的S1→S0跃迁为LUMO→HOMO之间π*→π电荷转移，电荷主要从四氮杂环庚烯环转移到末端吡咯环.表4表明，对于M0、M1，f7、f3分别相对最大，即相应S1→S0跃迁并非最强．对于M2和M3，S1→S0均为最强跃迁．图3发射光谱（b）清楚表明，增加吡咯环，荧光波长逐渐红移，S1→S0的振子强度显著增强．因此四氮杂环庚烯衍生物的荧光波长与跃迁强度可通过吡咯环数实现有效调节．