《表2 在B3LYP(PBE0）/6-31+G(d）理论水平上化合物M0～M3的HOMO、LUMO轨道能、能隙、垂直（绝热）电离能、垂直（绝热）电子亲合势、空穴（电子）重组能（eV)》

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《四氮杂环庚烯吡咯衍生物光电性质的理论预测》

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注：括号中v和a分别表示垂直和绝热．

所有M0～M3分子的HOMO和LUMO轨道能量值及能隙，汇总列于表2．众所周知，HOMO轨道能量越高，越易失电子产生空穴而使分子具有良好的空穴注入能力．相反，LUMO轨道能量越低，越易接受电子而使分子具有好的电子注入能力．如表2所示，在所有M0～M3的HOMO轨道能量处于-5.33～-4.56 eV区间．这些值均接近或略高于多功能材料[二均三甲基苯硼（BNPB)]HOMO能量相应值（-5.34 e V)[13].M0～M3分子的LUMO轨道能量介于-2.33～-1.91 eV区间，这些值接近或略低于BNPB的LUMO能量的相应值（-2.03 eV)[13]．且随吡咯环数增多，HOMO能量升高越多，而LUMO能量降低越多．以上结果说明，通过增减吡咯环可以改变四氮杂环庚烯底物的光电性质．从M0→M3，依次增加一个吡咯环而逐渐增大共轭范围，致使π电子愈加离域，分子能隙（Egap=EHOMO-ELUMO）依次变小，表2数据清楚地反映了这一规律．Egap越小越有利于电子跃迁．