《表3 大尺寸灰化装置的基本参数》

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《合肥光源的衍射光栅制备技术》

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图3步骤3所示全息光刻后制备的光刻胶光栅槽底干净，这是对离子束刻蚀所需光刻胶掩模的理想要求。而实际实验中，全息光刻制备的光刻胶光栅的槽底很容易残留一薄层光刻胶底膜，其厚度一般在几个nm左右。光刻胶底膜的存在会导致光栅槽底表面粗糙，对于光刻胶刻蚀速率较低的反应离子束刻蚀，甚至导致刻蚀深度的不均匀，而引起光栅衍射效率的不均匀。因此，作为离子束刻蚀的光刻胶光栅掩模，获得槽底干净的光刻胶光栅掩模十分重要，也增加了用于离子束刻蚀光刻胶光栅掩模的制备难度。自研制同步辐射光栅的过程中，即开始采用光刻胶灰化技术（7）（8）。在此基础上，自行研制了大尺寸灰化装置..（2.8），其基本参数如表3所示。此装置在450 mm×450 mm（Φ650 mm）范围内产生均匀性良好的等离子体。