《表2 部分氮化物陶瓷材料的基本性能[11,34-38]》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《高温陶瓷纤维/高温陶瓷基复合材料研究进展》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

（注：HPSN热压氮化硅；RBSN反应烧结氮化硅；HPBN热压氮化硼；IPBN各向同性氮化硼）

董绍明等[40]将Si3N4陶瓷引入到Cf/Si C复合材料中，提高了陶瓷的产率，降低了体积收缩和线收缩，改善了复合材料的界面结合状态，使其弯曲强度提高近一倍。Zhou等[41]用单源前驱体的氨化作用制备了新型非晶态聚合物衍生的Si-Hf-N陶瓷。Li等[42]采用热压法以Ce O2为添加剂，利用Si3N4粉末制备了致密的Si3N4陶瓷。Guo等[95]发现在烧结助剂Mg O-Lu2O3的作用下，在1500℃或低于1500℃的Ar环境中可得到密实的Si3N4-Zr B2陶瓷。