《表2 氮化硅陶瓷性能参数》
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《新一代IGBT模块用高可靠氮化硅陶瓷覆铜基板研究进展》
采用流延成型方法,将氮化硅与烧结助剂、有机粘结剂、溶剂、分散剂等按一定比例混合,制成分散均匀的浆料,该浆料再经真空脱泡后,在流延机上流延成柔韧性良好的氮化硅陶瓷薄片;氮化硅陶瓷需在气压保护条件下进行烧结研制出高导热氮化硅陶瓷基片,其性能参数如表2。氮化硅陶瓷性能,特别是热导率和弯曲强度满足功率模块要求。从氮化硅陶瓷微观形貌可以看出,材料内部颗粒重排和气孔填充,形成大量柱状β-Si3N4且排列紧密,促进了致密化和热导率提升,如图4所示。
图表编号 | XD0029967300 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2019.02.20 |
作者 | 李少鹏 |
绘制单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
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