《表2 IGBT机理模型中涉及的特征参数提取值》

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《高压直流断路器组件内IGBT关断瞬态电压过冲的关键影响参数》

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本文基于图2所示等效电路，对不同开断电流下主回路电流ifault、通过IGBT模块的电流i3和i4以及关断瞬态电压u3进行了计算，其中IGBT型号为WESTCODE T1200TD25A，其计算模型使用较成熟的文献[14]提出的机理模型，且采用文献[15-18]中提供的方法提取了表2所示的模型中所需要的IGBT特征参数。表2中，A为IGBT的有效通流截面积；Agd为IGBT栅极等效通流截面积；NL为低掺杂基区掺杂浓度；WLB为低掺杂基区等效宽度；NH为高掺杂基区掺杂浓度；WH为高掺杂基区的等效宽度；Isne为发射区电子饱和电流；UT为沟道导通阈值电压；Kp为沟道跨导系数；Kf为线性区等效MOSFET跨导系数；?为横向场跨导系数；Cge为栅极–发射极之间的电容；Coxd为栅极氧化层电容；τL为低掺杂基区等效载流子寿命；τH为高掺杂基区等效载流子寿命。