《表2 不同活化剂含量下制备出涂层的厚度》

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《钼基体表面硅化物涂层的包埋渗法制备工艺和机理研究》

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按上述Si∶x∶Al2O3=40∶10∶50比例于1 000℃沉积5 h，其中x分别表示NH4Cl、NH4F、NaF，对比不同活化剂下涂层沉积效果，结果如图2所示。从图2可以看出，在相同沉积工艺条件下，NH4F为活化剂所制备涂层厚度最大，表明NH4F较其他2种活化剂有更高的沉积效率。对不同活化剂下制备的涂层进行截面SEM观察如图3所示。可以看出，3种涂层与基体间均呈现明暗分明的区域，表明涂层与基体间存在物相差异，且涂层与基体间存在极窄浅色过渡区，为硅内扩散所形成的贫硅区[16]。涂层与基体间存在一条垂直于基体表面的裂纹，该裂纹为涂层沉积过程中涂层与基体热膨胀系数差异所致，Yoon等[17]也报道过类似现象。