《表1 管芯实测数据：VDMOS栅源漏电的经验解析》

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《VDMOS栅源漏电的经验解析》

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Igss问题，在电参数测试时，呈现两种特征：一种是Igss偏大，其他参数正常，这属于是GS间漏电，例如表1中BIN3。另一种是Igss偏大，同时BVdss、Idss、Vth均异常，如表1中BIN2，这是由于Si缺陷或GOX质量不良引起。