《表3 500℃退火过程原子键数量的变化》

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《不同退火温度下a-C:Si涂层的热稳定性研究》

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由表3可知，在退火过程中Si—C键含量基本保持稳定，说明Si原子与C原子所形成的结构基本维持稳定，Si原子更倾向于与C原子形成四面体结构，从而稳定C-sp3结构（如绿色圆圈中所示），结构的稳定有利于阻碍C-sp2原子的集束化以及团簇的形成，降低石墨化速率，提高热稳定性。表3中sp3-sp3键也表现出阶段转变，且可以发现在升温阶段主要是sp3-sp3键转化为C-sp2，而恒温阶段sp3-sp3键和sp3-sp2键共同转化为sp2-sp2键。结合键角转变图可知，石墨化过程主要由键角在100～110℃间的sp3-sp3键和sp3-sp2键参与。