《表4 采用不同方法抑制铜在3.5%Na Cl溶液中腐蚀时的EIS参数Table 4 EIS parameters for copper corrosion in 3.5%Na Cl solution

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《三环唑和有机保焊膜对抑制铜在硫酸和氯化钠溶液中腐蚀的对比研究》

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利用图6中的等效电路[其中Rs是溶液电阻，Rf是铜表面保护膜的电阻，Q1和Q2是恒定的相位角元件（CPE），分别对应膜电容（Cf）和双电层电容（Cdl），Rct是电荷转移电阻，W是Warburg阻抗]对图4和图5进行拟合，得到的电化学阻抗谱参数分别列于表3和表4。从中可见，随着三环唑的加入和铜面OSP成膜，Rct和Rf都增大，而且随着三环唑浓度或OSP膜厚的增大，这种效果增强，缓蚀效率提高，表明三环唑分子通过吸附效应在铜表面形成了高效的保护膜，而OSP膜越厚，对铜腐蚀的抑制效应越强。相反，Cf和Cdl随三环唑浓度或OSP膜厚的增大而逐渐减小。Cf减小可以用三环唑分子吸附在铜表面或者OSP膜厚的增大来解释，因为这两种作用都降低了暴露在腐蚀介质中的电极表面积。Cdl减小可归因于介电常数的降低和/或双电层厚度的增大以及暴露面积的减小[20-21]。因此，三环唑浓度或OSP膜厚的增大有利于提高对铜腐蚀的抑制，只是在酸性溶液中三环唑的抑制效果更优，而在中性溶液中OSP膜显示出更高的抑制效率，这与极化曲线的结果一致。