《表1 采用不同方法抑制铜在0.5 mol/L H2SO4溶液中腐蚀时的塔菲尔曲线参数》
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《三环唑和有机保焊膜对抑制铜在硫酸和氯化钠溶液中腐蚀的对比研究》
从图2可知,与空白试样相比,采用两种方法都能抑制铜腐蚀。无论是在0.50 mol/L H2SO4溶液中还是在3.5%Na Cl溶液中,随着三环唑浓度或OSP膜厚的增大,腐蚀电流密度均降低,表明铜的腐蚀速率降低。而阴极区的电流密度降低得更明显,以及腐蚀电位变得更负。可以推断,主要是腐蚀过程的阴极反应被抑制。这些结果表明两种方法都主要起到抑制阴极反应过程的作用。从表1可知,在0.5 mol/L H2SO4溶液中,腐蚀电流密度随着三环唑浓度或OSP膜厚的增大而明显降低。采用1.00 mmol/L三环唑作为缓蚀剂时,铜腐蚀的抑制效率为94.5%,而0.35μm厚的OSP膜对铜的抑制效率为93.7%。可见前者对铜腐蚀的抑制效果更好。从图3和表2可知,在3.5%Na Cl溶液中时,0.35μm厚的OSP膜对铜的抑制效率高达98%,明显高于1.00 mmol/L三环唑对铜腐蚀的抑制效率,与0.5 mol/L H2SO4溶液中的结果相反。可见三环唑和OSP膜对铜腐蚀都有很强的抑制效果,只是三环唑在酸性溶液中的抑制效果要远高于在中性溶液中的抑制效果,而OSP在中性溶液中的抑制效果要高于在酸性溶液中的抑制效果。
图表编号 | XD0014511800 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2018.09.15 |
作者 | 廖超慧、张胜涛、陈世金、何为、刘根、付登林、谭博川、刘超、郭茂桂 |
绘制单位 | 重庆大学化学化工学院、重庆大学化学化工学院、博敏电子股份有限公司、电子科技大学微电子与固体电子学院、博敏电子股份有限公司、重庆大学化学化工学院、重庆大学化学化工学院、重庆大学化学化工学院、博敏电子股份有限公司 |
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