《表5 不同钝化层成膜前处理功率的测试结果》

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《电子纸的2W2D工艺改善研究》

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产生漏电流（Ioff）的一个重要因素是TFT器件的背沟道效应，背沟道形成于a-Si和钝化层接触的界面，因此在钝化层成膜前需要对沟道的a-Si表面进行化学处理，以降低背沟道的导电能力，从而降低Ioff，提升良率。其中，钝化层前处理的功率是影响特性的主要参数，因此，本实验对钝化层成膜前处理的功率进行了实验验证（W5

图表编号	XD00140781500 严禁用于非法目的
绘制时间	2020.04.01
作者	佟月、佟硕、王凤涛、曹洪韬、刘艳葵、耿红帅、李森、张鹏曲、卢凯、孙亮、张磊、陈思、王威
绘制单位	北京京东方光电科技有限公司、北京京东方光电科技有限公司、北京京东方光电科技有限公司、北京京东方光电科技有限公司、北京京东方光电科技有限公司、北京京东方光电科技有限公司、北京京东方光电科技有限公司、北京京东方光电科技有限公司、北京京东方光电科技有限公司、北京京东方光电科技有限公司、北京京东方光电科技有限公司、北京京东方光电科技有限公司、北京京东方光电科技有限公司
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