《表2 不同温度下的仿真结果》
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《4H-SiC MOSFET静态温度特性的仿真分析》
从图7可以看出，4H-SiC MOSFET的转移曲线随着温度的升高向下移动，阈值电压VTH随着温度的升高略有下降，其随温度变化的趋势和具体数据分别如表2和图8所示。
| 图表编号 | XD00133755600 严禁用于非法目的 |
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| 绘制时间 | 2020.01.10 |
| 作者 | 曾亮、王翠霞、吴江枫、余有灵、李诚瞻、杜星 |
| 绘制单位 | 同济大学电子与信息工程学院、同济大学电子与信息工程学院、同济大学电子与信息工程学院、同济大学电子与信息工程学院、株洲中车时代半导体有限公司、同济大学电子与信息工程学院 |
| 更多格式 | 高清、无水印（增值服务） |
