《表1 不同温度下的输出特性仿真结果》

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《4H-SiC MOSFET静态温度特性的仿真分析》

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从图5可以看出，当VGS=20 V时，4H-SiC MOSFET在300 K时的饱和漏电流ID为56 A，而在700 K时饱和漏电流ID约为6 A，不到300 K时的1/9；导通电阻Ron从300 K时的0.54Ω增长到700 K时的6.32Ω。详细数据如表1所示。