《表1 3种堆垛构型下砷烯/WS2异质结的层间距(D)和束缚能(Eb)》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《电场和应变对砷烯/WS_2 van der Waals异质结电子结构的影响》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

其中：EAs/W、EAs和EW分别为异质结、砷烯和单层WS2的总能。3种构型优化后的晶格结构参数如表1所示。由表1可以看出，3种构型的形成能均为负值，这意味着3种构型从能量角度来看都是稳定的。3种构型形成能的大小顺序为：顶部>底部>中心，这表明顶部构型是最稳定的构型。同时，顶部构型的层间距是最小的，砷烯和WS2单层间有最强的相互作用，这导致了顶部构型的形成能最大，晶格结构最稳定。因此只讨论异质结的顶部构型。