《表3 器件参数：宽禁带器件在1kV高频直流谐振变换器中的应用与对比》

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《宽禁带器件在1kV高频直流谐振变换器中的应用与对比》

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图1和图14分别为2种LLC变换器的拓扑，均为1 kV输入、3 kW输出，采用分离谐振腔的结构及原串副并的矩阵变压器。如表3所示[15-16]，GaN器件电压应力最高为650 V，根据第1.1节分析，可采用Stacked-Bridge结构，在1 kV输入电压的情况下，GaN器件需要耐压为500 V，选择4×GS66508T。基于SiC的变换器如果使用half bridge结构，虽然只用2个开关器件，但SiC器件需要耐压1 200 V以上，而SiC器件的Rds(on）很大（Cree公司的C2M1000170D型号为1Ω），会产生很大的导通损耗，同时受电流应力限制，原边拓扑采用full bridge结构，器件选择4×C2M1000170D。