《表1 理论模拟膜层厚度》

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《触摸屏用低方阻PET导电薄膜镀膜工艺研究》

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低方阻（60～80 W/□）材料需要的ITO层厚度约是常规电容膜（150 W/□）的2倍，即35 nm左右，根据理论模拟，ITO厚度增加后透过率会降低，且当ITO蚀刻出图案后会有比较明显的色差，不利于产品推广，为此需要引入高折层，结合我司镀膜设备，选定氮化硅作为高折射层材料，膜层结构改变为Si 3N 4/S iO 2/ITO，理论模拟厚度如表1后可达到预期光学效果，理论模拟透射曲线见图2。