《表1 不同C物种的结合能及含量》

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《低共熔溶剂中电化学剥离制备GO及脉冲电沉积Ni-GO复合镀层性能研究》

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图8给出了电化学剥离制备的GO和Ni-GO复合镀层中C1s的XPS图。GO粉末和Ni-GO复合镀层的C/O原子比分别为2.41、1.75，镀层C/O原子比减小可能的原因是部分GO表面的含氧官能团在电沉积的过程中发生了还原。进一步拟合分析可得到表1中的数据。GO和Ni-GO的C1s谱峰可以去卷积为四个峰：分别对应于C═C或者C─C、C─O、C═O、O═C─O基团。含氧官能团的存在进一步表明，电化学剥离氧化成功制备了GO。在电沉积过程中，对应的C═O和O═C─O基团含量显著减少，C═C或者C─C和C─O基团含量显著增加，这表明在电沉积过程中，GO嵌入Ni镀层中，占据了Ni2+的成核位点，部分发生了电化学还原[23-24]。与氧化石墨烯相比，Ni-GO复合镀层的C═C和C─O基团的结合能几乎没有变，而C═O和O─C═O基团的结合能分别向高能方向移动了1.22 eV和1.61 eV，这是氧化石墨烯中的C═O和O─C═O与Ni2+相互作用的结果[25-27]。