《表2 催化剂上Ni 2p3/2电子结合能及表面Ni物种组成分析》

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《Ni/SiO_2在甲烷部分氧化反应中的稳定性:W修饰的影响》

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从反映催化剂上Ni化学态情况的XPS谱（图7）看，位于852.4–853.0 eV和855.6–856.2 eV处峰，分别对应于Ni0和Ni2+，而对应859.8–861.1 eV的则为Ni 2p谱卫星峰16。我们发现，W的引入使9NiW0.07/SiO2，9NiW0.10/SiO2上Ni0和Ni2+的结合能位置发生了明显的偏移，分别由9Ni/SiO2上的852.4 eV和855.6 eV上移至9NiW0.07/SiO2的852.7eV和855.8 eV及9NiW0.10/SiO2的853.0 eV和856.2 eV（见表2），表明Ni、W间存在相互作用。已有文献指出16，W的电负性和第一电离能（2.36，775 kJ·mol-1）大于Ni（1.91，737 kJ·mol-1），W、Ni共存时Ni电子云会向W偏移；且近表面层的Ni原子组成分析结果表明，9NiW0.07/SiO2，9NiW0.10/SiO2上Ni的氧化态/还原态比值（[Ni2+]/[Ni0]分别为0.39，0.59），均大于9Ni/SiO2（[Ni2+]/[Ni0]=0.25）（表2） ，因此，W的添加会使催化剂表面上氧化态Ni的浓度增大。这与前述的H2-TPR结果相符，即W的存在会导致催化剂表面上少部分Ni原子还原难度增大，POM反应条件下尚存部分未还原完全的表面Ni物种。