《表1 各组样品的反射电极结构参数（单位：nm)》

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《p型GaN上Pd/NiO/Al/Ni反射电极欧姆接触的热稳定性研究》

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本文中使用的紫外LED外延晶圆是采用金属有机化学气相沉积法（MOCVD）生长的。三甲基镓（TMGa）、三甲基铝（TMAl）、三甲基铟（TMIn）和氨（NH3）分别用作Ga，Al，In和N的来源，氮气和氢气被用作载气。外延结构由低温AlN缓冲层、2μm厚的未掺杂Al0.05Ga0.95N层、3μm厚的Si掺杂Al0.05Ga0.95N层（1.5×1018 cm-3）、10个周期的In0.02Ga0.98N(7nm）/Al0.15Ga0.85N(20nm）多量子阱（MQW）、20nm厚的Mg掺杂Al0.3Ga0.7N电子阻挡层（EBL）以及110nm厚的Mg掺杂Al0.05Ga0.95N层组成，然后是20nm厚的Mg掺杂p-GaN接触层（Hall测试结果显示空穴浓度约为5×1017cm-3）。本研究制备了5组样品进行比较，其中第一组样品作为参考基准，采用电子束蒸发台（DE TECHNOLOGY LIMITED DE400E-BEAM）在pGaN上依次沉积Pd/Al/Ni，其他组样品均采用Pd/NiO/Al/Ni作为反射电极。为了实现Pd/NiO/Al/Ni，首先在p-GaN样品上通过电子束蒸发沉积Pd/Ni，然后在快速退火炉（Premtek RTP-CT 150M）氧气环境中400℃下氧化10 min（氧气流量为5ml/min）形成Pd/NiO合金，最后再沉积反射层Al和保护层Ni。各组样品依次编号为0#，1#，2#，3#和4#，其反射电极结构参数如表1所示。本研究使用Agilent B2901A精密型电源测量I-V特性，用圆环型传输线模型（CTLM）法获得比接触电阻率。此外，在快速退火炉中氮气环境下对这些样品进行热处理，用以模拟芯片制备后续加工的高温条件，研究其在200和300℃下的热稳定性。在光学反射率测量中，金属薄膜被沉积在石英玻璃基底上，并用紫外-可见分光光度计（Lambda 950）进行测量。