《表2 制备的光催化剂的带隙宽度值Eg》

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《共沉淀法制备稀土Ce掺杂的纳米ZnO及其光催化降解染料的性能》


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利用Tauc公式:(αhν)2=C(hν-Eg),我们对以上样品的带隙宽度进行了估算。其中,α为吸收系数,C为常数,h为普朗克常数,hν为光子能量,Eg为带隙宽度。通过对曲线进行线性拟合,得到的拟合直线与横轴的交点即为样品的带隙宽度值。根据(αhν)2-hν曲线(图5),可得到其带隙宽度值为表2所示。可以看出,相对于ZnO,随着Ce掺杂量的增加,所制备材料的带隙宽度呈逐渐降低趋势,原因可能是随着Ce掺入量的增加,Ce离子f轨道上的电子通过电荷传递到ZnO的价带或导带的距离逐渐变小。这是金属掺杂ZnO材料的一个普遍现象[24,27]。带隙宽度Eg值的变化趋势也与图4所示的样品紫外可见漫反射光谱图相一致。