《表1 石墨烯、氮化硼和二硫化钼在应变下的带隙宽度》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《基于第一性原理研究类石墨烯材料的能带结构》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

如表1所示，氮化硼的能带结构随着应变变化较明显，导带逐渐向费米级面移动，带隙逐渐变小，带隙宽度从4.669 eV减小为3.985 eV。二硫化钼的能带结构受应变的影响非常大。在未施加任何应变时，二硫化钼是一个直接带隙半导体材料。当施加1%应变时，二硫化钼的价带顶从K点变为Γ点，由直接带隙转变为间接带隙。随着应变的增大，能带间隙迅速变小，并一直保持间接带隙。如表1所示，带隙宽度从1.673 eV逐渐减小为0.646 eV。