《表1 外源硅对NaCl胁迫下红豆种子萌发的影响》

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《外源硅对盐胁迫下红豆种子萌发及幼苗生长的影响》

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注：A为去离子水处理作为空白对照组.B处理为150 mmol·L-1NaCl溶液，模拟盐胁迫.C、D、E、F处理则分别在B的基础上添加0.5、1.0、1.5、2.0mmol·L-1外源Na2SiO3，下同.

1）外源硅对NaCl胁迫下红豆种子发芽率的影响.发芽率是测试种子发芽数占测试种子总数的百分比，农业上常用此检测种子质量，从而计算用种量.由表1可以看出，红豆种子的抗盐胁迫相对较弱，A组种子在没有NaCl胁迫的条件下发芽率最高为97.33%，B组在完全NaCl胁迫条件下发芽率最低，为对照的65.1%.施加0.5、1.0、1.5 mmol·L-1的外源硅可以明显提高NaCl胁迫下红豆种子的发芽率（如表2C、D、E组所示），分别比B组处理高5.8%、1.1%、12.6%，但当外源硅浓度达到2.0 mmol·L-1时反而降低了红豆种子的发芽率，比B组降低27.4%.